大手NANDフラッシュメモリ・ベンダーによる、3D NANDフラッシュメモリの発表が相次いでいる。
2015年2月の国際学会(ISSCC)で、フラッシュメモリ最大手ベンダーである韓国のSamsung Electronicsが
TLC(3bit/セル)方式による128Gbit 3D NANDフラッシュメモリの開発を発表した。
そして3月25日(米国時間)と26日(日本時間)には、東芝と米国SanDiskの企業連合(東芝-SanDisk連合)と、
米国Intelと米国Micron Technologyの企業連合(Intel-Micron連合)がそれぞれ、3D NANDフラッシュメモリの
サンプル出荷を始めたと相次いで発表した。2つの企業連合が商業生産を始めたことにより、
3D NANDフラッシュはSamsungによる1社供給から、複数の企業による本格的な量産競争へと移行しつつある。
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150402_695964.html