Samsung、2018年に7nm、2020年に4nmリスク生産へ
8nm、7nm、6nm、5nm、4nm LPP（Low Power Plus）及び18nm FD-SOIの量産化が計画されている。
8nmプロセスは、ArF液浸露光を用いるものとしては同社において最も微細なプロセスとなる。
7nmプロセスは、2018年のリスク生産を見込んでいる。7nm以降はEUV露光を用いる。
Samsung、2018年に7nm、2020年に4nmリスク生産へ
8nm、7nm、6nm、5nm、4nm LPP（Low Power Plus）及び18nm FD-SOIの量産化が計画されている。
8nmプロセスは、ArF液浸露光を用いるものとしては同社において最も微細なプロセスとなる。
7nmプロセスは、2018年のリスク生産を見込んでいる。7nm以降はEUV露光を用いる。
Samsung、2018年に7nm、2020年に4nmリスク生産へ
http://www.global-net.co.jp/2017-5-29gnc-letter363-1.html
Samsung、EUVリソグラフィ採用の7nm FinFET技術を公表
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1064087.html
EUVリソグラフィの導入でマスク枚数を4分の3以下に減らす
ムーアの法則は健在！ 10nmに突入したGalaxy搭載プロセッサの変遷 (1/3)
http://eetimes.jp/ee/articles/1705/26/news010.html
AppleがiPhone 7で使ったInFO技術にほぼ等しい技術が、Exynos8895でも使われていることが明確になった。
1年前はTSMCしか実現できないと言われたInFOだが、既にSamsungの製品にも同じように使われているわけだ。