米IntelとMicronは26日(現地時間)、1ダイあたり48GBという大容量を実現した3次元NANDフラッシュ技術を開発したと発表した。
フローティング・ゲート・セルを採用した3次元NAND技術で、
セルを垂直に積層することで、競合の従来のNAND技術と比較して3倍の容量を実現。
これによりコスト削減と低消費電力化、高性能化を達成した。
NANDフラッシュを32層積層することで、
2bit/Cellでは256Gbit(32GB)、3bit/Cell(TLC)では384Gbit(48GB)という大容量を実現。
これにより、板ガムサイズのSSDで3.5TB以上、標準的な2.5インチSSDで10TB以上の容量を実現できるとしている。
http://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/694/897/1_s.png
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20150327_694897.html