次世代ハード半導体技術考察スレッド #126

EUV、5nm付近でランダム欠陥　imecが報告
http://eetimes.jp/ee/articles/1803/05/news063.html

>EUV（極端紫外線）リソグラフィの5nmプロセスで、ランダム欠陥が発生する現象が報告された。
>この問題を回避すべくさまざまな技術を適用しているが、これまでのところ、明確な解決策は
>見つかっていないという