http://www.stellacorp.co.jp/media/exibition_past/1311fpdinter.html
バックチャネル構造のCAAC-IGZO-TFTでLCDをドライブ
CAAC-IGZO-TFTはコンベンショナルなエッチングストッパータイプではなく、
a-Si TFTで一般的なバックチャネル構造を採用。
いうまでもなく、CAAC-IGZOは耐エッチング性が高く、
上部に形成されるソース/ドレイン電極のウェットエッチング時にもダメージが少ないため。
また、ガラス基板上にスキャンドライバ回路をビルトインするとともに、額縁も1㎜にナロー化した
バックチャネル構造の酸化物TFTを実現するキーマテリアルが
IGZO系酸化物ターゲット「KOS-BO2」
コンベンショナルなIGZOに第5元素を添加したとみられる。ターゲットのスペックは密度が98％以上、純度が99.99％。
最大の特徴はウェットエッチング耐性が高いことで、PANエッチャント(H3PO4、HNO3、CH3COOH)を用いてテストしたところ、
膜のエッチングレートは0nm/minとまったく侵食されなかった。
これに対し、IGZO膜のエッチレートは66nm/min、ソース/ドレイン電極として使用されるMoメタル膜のエッチレートは1200nm/minだった。
つまり、ソース/ドレインのウェットエッチング時に侵食される心配がないわけである。
これは、いうまでもなくコンベンショナルなエッチングストッパー構造よりもシンプルストラクチャーなバックチャネル構造が実現できることを意味しており、
Si系エッチングストッパーの成膜・パターニングコストをカットすることができる。
次世代酸化物半導体としてIGZOの延長線上ではない新組成ターゲット「KOS-HO7」も提案
エッチングストッパー構造TFTを評価したところ、50～62cm2/V･sという驚異的なハイモビリティが得られた。
つまり、低温Poly-Si TFTに近いハイモビリティが得られるわけで、
この結果、ガラス基板上に各種機能をビルトインしたシステム・オン・パネルの実現も期待できる。
もちろん、Vth＝3V、⊿Vth＝1.75V、SS＝0.23V/decと他のスペックも良好である。
http://www.stellacorp.co.jp/media/exibition_past/1410fpd.html
CAAC-IGZO-TFT、有機ELは白色EL＋RGBWカラーフィルター方式を採用。
前者は短チャネル化およびローコスト化に有利なバックチャネルエッチ構造を採用
、コンベンショナルな酸化物TFTでは不可欠とされるエッチングストッパーをレス化した。