http://dc.watch.impress.co.jp/docs/review/special/20100304_351111.html
CMOSセンサーは、フォトダイオードに接する境界面で素材が変わるためノイズの発生源になる。
このノイズ発生源は、表面照射型ではフォトダイオードと配線層間の1面だけだが、
裏面照射型の場合はフォトダイオードを挟んで配線層とカラーフィルターの2面になってしまう。
裏面照射型に最適化した独自のフォトダイオード構造とオンチップレンズを開発したことで
境界面のノイズを減らすことに成功。シリコン基板を削る技術と合わせて、
裏面照射型CMOSセンサー量産の大きな足掛かりになった。
http://dc.watch.impress.co.jp/docs/news/interview/20090918_316617.html
シリコンの単結晶の上にトランジスタや電極を作って配線層を作ります。
シリコンを材料としたフォトダイオードとその上の配線層との膜に、
シリコンの酸化膜SiO2が使われるのです。
もともとシリコンの結合が整然としているところに違う材料を使うので、
シリコンの結合が乱れてしまい、それがノイズの発生につながるのです。
表面照射型の場合、材料が違う界面は一面しかないのですが、
裏面照射型にすると、逆側にも同じように界面（＝ノイズ源）ができてしまうわけです。
したがって、ここのノイズをいかにして抑えるかという難しさがあるのですが、
じつは裏面のノイズを抑えるほうが難しいんですね。